栾庆彬
,
皮孝东
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔.着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用.
关键词:
薄膜晶体管
,
有源层
,
半导体
,
纳米晶体
,
硒化镉
,
碲化汞
,
硒化铅
,
锗
,
硅
刘振
,
徐文亚
,
钱龙
,
赵建文
,
崔铮
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2014.03.260
本文研究了聚[(2,7-9,9-二辛基芴基)-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑](PFO-DBT)分离的半导体碳纳米管薄膜晶体管的光电性能.在超声和高速离心辅助下,PFO-DBT能够从商业化单壁碳纳米管中选择性分离出高纯的半导体碳纳米管.用得到的半导体碳纳米管溶液通过气溶胶喷墨印刷方法构建出高性能印刷薄膜晶体管器件.印刷碳纳米管薄膜晶体管表现出高的开关比(107)和高迁移率(15.6 cm2 ·V-1·s-1).并且所有制备的印刷薄膜晶体管具有很好的光敏感特性和很好的稳定性.
关键词:
半导体性碳纳米管
,
聚合物
,
印刷电子
,
薄膜晶体管
,
光响应特性
赵淑云
,
孟志国
,
王文
,
郭海成
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.03.007
介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术.该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合.以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充.这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量,使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区.即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内,能形成连续晶畴的多晶硅薄膜,都可作为高质量TFT的有源层.根据晶核定位孔分布形式的不同,可以设计成规则、重复的分布形式,获得正六边形的蜂巢晶体薄膜和准平行晶带晶体薄膜.这些规则形成的晶畴形状与尺寸相同,可准确地控制晶化的过程,具有晶化时间的高可控性和工艺过程的高稳定性,故而适合于工业化生产的要求.利用些技术,当温度为590℃时,可将晶化时间缩短至2 h之内.用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为～55 cm2/V·s,亚阈值斜摆幅为0.6 V/dec,开关电流比为～1×107,开启电压为-3 V.
关键词:
金属诱导晶化
,
规则排列连续晶畴
,
薄膜晶体管
,
低温多晶硅
苏晶
,
刘玉荣
,
莫昌文
,
简平
,
李晓明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132803.0315
氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素.目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等).为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣,并让研究者在选择制备技术时有所参考,文章概述了各种有源层制备技术的特点,并比较了这些制备方法所制备的ZnO TFT器件性能.通过对比各器件性能参数可以发现,脉冲激光沉积和射磁控溅射所制备的ZnO有源层具有较优的性质,并被广泛使用.文章还对ZnO-TFT的优化方法做了简单介绍.
关键词:
氧化锌
,
薄膜晶体管
,
有源层
,
制备方法
张定涛
,
李文彬
,
姚立红
,
郑云友
,
李伟
,
宋泳珍
,
袁明
,
张光明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0860
为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1％HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验.研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响.确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大.最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08％.
关键词:
色斑
,
薄膜晶体管
,
非晶硅
,
缺陷分析
苟昌华
,
武明珠
,
郭永林
,
杨永强
,
关晓亮
,
段羽
,
王红波
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0602
铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术.源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低.利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火IGZO作为源漏电极缓冲层,以减少源漏电极与有源层之间的接触氧化.研究发现插入4 nm未退火IGZO缓冲层时,相对于未采用缓冲层的器件,其饱和区场效应迁移率提高了11.6％,阈值电压降低了3.8V,器件性能有所提高.此外,该方法还可以在原位退火之后继续使用与有源层相同的材料溅射生长缓冲层,能够使得在采用矩形靶溅射方式的工业生产中,制备缓冲层工艺更加简单.
关键词:
薄膜晶体管
,
InGaZnO
,
接触电阻
,
缓冲层
王东平
,
谢应涛
,
欧阳世宏
,
朱大龙
,
许鑫
,
谭特
,
方汉铿
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0380
本文主要介绍了绝缘层在薄膜晶体管中的重要作用,总结了在薄膜晶体管中应用的绝缘层材料种类及其特点,介绍了不同绝缘层的制备工艺,以及各种制备工艺的原理与特点.最后,通过分析近几年有关薄膜晶体管绝缘层的文献,介绍了薄膜晶体管在制备过程中遇到的主要问题及当前的研究热点,并对未来薄膜晶体管中绝缘层的制备工艺和绝缘材料的研究方向进行了展望.
关键词:
薄膜晶体管
,
溶胶凝胶法
,
紫外光退火
,
低温工艺
李欣予
,
王若铮
,
吴胜利
,
李尊朝
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173205.0344
基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响.仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiNx和HfO2多种不同组合的叠层结构.仿真及实验结果表明:含有高k材料的栅绝缘层叠层结构较单一SiNx绝缘层结构的TFT性能更优;对SiNx/HfO2/SiNx栅绝缘层叠层结构TFT,HfO2取40 nm较为合适;对含有高k材料的3层和5层绝缘层叠层结构TFT,各叠层厚度相同的对称结构TFT性能最优.本文通过仿真获得了TFT性能较优的器件结构参数,对实际制备TFT器件具有指导作用.
关键词:
半导体器件仿真
,
薄膜晶体管
,
绝缘层
,
氮化硅
,
二氧化铪
,
叠层结构
张祥
,
费斐
,
郭文瑞
,
聂书红
,
吴良专
,
谢建军
,
赵建文
,
崔铮
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.02.136
利用纳米压印和电刷镀技术在PET基体上制作出大面积金源、漏电极阵列.分别采用钛酸钡复合材料为介电层,印刷银电极为顶电极,聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮(PF8DPP)分离的半导体碳纳米管为有源层,在柔性基体上构建出全印刷碳纳米管薄膜晶体管器件和反相器.全印刷碳纳米管薄膜晶体管的开关比和迁移率分别达到4×104和6 cm2·V-1·s-1,且器件表现出零回滞特性.构建的反相器在Vdd=8 V时,其增益可以达到12.
关键词:
纳米压印
,
电刷镀
,
半导体碳纳米管
,
聚合物
,
印刷电子
,
薄膜晶体管
